IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),也稱為絕緣柵雙極晶體管,是 一種復合了功率場效應管和電力晶體管的優(yōu)點而產(chǎn)生的一種新型復合器件,它同時具有 MOSFET 的高速開關(guān)及電壓驅(qū)動特性和雙極晶體管的低飽和電壓特性 及 易 實現(xiàn) 較 大 電流 的 能 力，既 具 有輸 入 阻 抗高 、工 作速 度 快 、熱 穩(wěn)定性好 和 驅(qū) 動 電 路 簡 單 的 優(yōu) 點 ，又 具 有 通 態(tài) 電 壓 低 、耐 壓 高 和 承 受 電 流 大 的 優(yōu) 點 ，這使得 IGBT 成 為 近 年 來 電 力 電 子 領(lǐng) 域 中 尤 為 矚 目 的 電 力 電 子 驅(qū) 動 器 件 ，并且得到越來越廣泛的應用。
本文主要介紹了 IGBT 的結(jié)構(gòu)特性、工作原理和驅(qū)動電路，同時簡要概括了 IGBT 模塊的選擇方法和保護措施等，最后對 IGBT 的實際典型應用進行了分析介紹，通過對 IGBT 的學習，來探討 IGBT在當代電力電子領(lǐng)域的廣泛應用和發(fā)展前景。
