研究了襯底溫度對(duì)MOCVD技術(shù)制備的ZnO薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光電特性影響．XRD和SEM的研究結(jié)果表明，襯底溫度對(duì)ZnO薄膜的微觀結(jié)構(gòu)有顯著影響，明顯的形貌轉(zhuǎn)變溫度大約發(fā)生在175 6C，低于175。C，薄膜呈鏡面結(jié)構(gòu)，晶粒為球狀，高于177℃的較高溫度范圍，薄膜從“類金字塔”狀的絨面結(jié)構(gòu)演化為“巖石”狀顯微組織；隨著溫度增加，薄膜的晶粒尺寸明顯增大．絨面結(jié)構(gòu)的未摻雜ZnO薄膜具有17．96 em2，V·8的高遷移率和3．28×10。2 Q·cm的低電阻率，對(duì)ZnO薄膜的進(jìn)一步摻雜和結(jié)構(gòu)優(yōu)化有望應(yīng)用于si薄膜太陽(yáng)電池的前電極．
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